学术报告预告: 10月20日周益春教授报告会
发布人:电子材料与器件物理研究组  发布时间:2021-10-20   浏览次数:2341




报告题目:氧化铪铁电亚稳相及其与CMOS兼容的铁电存储器


报告人:周益春 教授  

     西安电子科技大学


报告时间:2021年10月20日(星期三) 14:30


报告地点:物质科研楼C601会议室




报告摘要:

HfO2基铁电薄膜具有与大规模集成电路工艺兼容、可微型化潜力大等优点,为我国实现大容量铁电存储器的自主可控提供了机会。弄清HfO2铁电亚稳相的形成机制和阐明HfO2基铁电存储单元的界面调控作用机理是实现HfO2基铁电薄膜可控制备及其在存储器中应用的关键。本报告将详细介绍我们在氧化铪铁电亚稳相的调控机理,氧化铪铁电薄膜的可控制备,与CMOS兼容的铁电存储器的研制工作。





报告人简介:

周益春,男,1963年出生,西安电子科技大学华山学者杰出教授。1985年6月、1988年6月、1994年6月分别在湘潭大学、国防科技大学、中国科学院力学研究所获得学士、硕士、博士学位,1996年教授,1998年博士生导师,2005年国家杰出青年基金获得者,2006年第二届国家级教学名师获得者。承担国家自然科学基金重大、重点、杰青等重点项目。获得湖南省自然科学一等奖三项、国家国防发明二等奖一项、中国科学院科技进步一等奖一项,获国家教学成果二等奖一项,湖南省教学成果一等奖三项,培养的博士生获得长江学者2人,杰青1人,卓青1人,全国百篇优博论文1人,提名奖1人,省优博论文7人。主要从事铁电存储器和航空发动机热障涂层的研究工作,发表SCI论文200余篇,他引7000余次,成果在大型企业得到广泛应用。