近期，我们课题组在n型硅(n-Si)衬底上制备了基于钇铁石榴石(YIG)薄膜的阻变式存储器。研究者发现该Au/YIG/n-Si阻变器件表现出具有亚纳秒量级(~540 ps)的超快写入速度和高电阻开关比(~10⁴)的单极性(Unipolar)电阻转变行为。不同电阻状态下YIG表面的X射线光电子能谱分析(XPS)证实氧空位在导电细丝形成中起到了重要作用。值得注意的是，该器件在85℃下仍然能保持亚纳秒级别(~540 ps)的操作速度和近10³的电阻开关比。此外，研究者还通过设置不同的电流限制，使器件稳定并可重复地设置到5个不同的阻态；且其超快、多阻态调控表现出良好的均一性。该研究结果突显了阻变式存储器在超快、高密度、非易失信息存储中的应用潜质，将为克服“存储墙”问题提供一种可能的解决方案。相关成果被MATERIALS VIEWS CHINA所报道，内容链接：http://www.materialsviewschina.com/2019/01/32222/。

        相关论文发表在Advanced Electronic Materials (DOI: 10.1002/aelm.201800418)。