报告题目：氧化铪铁电亚稳相及其与CMOS兼容的铁电存储器

报告人：周益春 教授  

     西安电子科技大学

报告时间：2021年10月20日(星期三) 14:30

报告地点：物质科研楼C601会议室

报告摘要：

HfO₂基铁电薄膜具有与大规模集成电路工艺兼容、可微型化潜力大等优点，为我国实现大容量铁电存储器的自主可控提供了机会。弄清HfO₂铁电亚稳相的形成机制和阐明HfO₂基铁电存储单元的界面调控作用机理是实现HfO₂基铁电薄膜可控制备及其在存储器中应用的关键。本报告将详细介绍我们在氧化铪铁电亚稳相的调控机理，氧化铪铁电薄膜的可控制备，与CMOS兼容的铁电存储器的研制工作。

报告人简介：

周益春，男，1963年出生，西安电子科技大学华山学者杰出教授。1985年6月、1988年6月、1994年6月分别在湘潭大学、国防科技大学、中国科学院力学研究所获得学士、硕士、博士学位，1996年教授，1998年博士生导师，2005年国家杰出青年基金获得者，2006年第二届国家级教学名师获得者。承担国家自然科学基金重大、重点、杰青等重点项目。获得湖南省自然科学一等奖三项、国家国防发明二等奖一项、中国科学院科技进步一等奖一项，获国家教学成果二等奖一项，湖南省教学成果一等奖三项，培养的博士生获得长江学者2人，杰青1人，卓青1人，全国百篇优博论文1人，提名奖1人，省优博论文7人。主要从事铁电存储器和航空发动机热障涂层的研究工作，发表SCI论文200余篇，他引7000余次，成果在大型企业得到广泛应用。