基于电控反常霍尔效应的可编程逻辑及储池计算
发布时间:2025-09-20   浏览次数:3084


构筑以极化为信息载体、兼具非易失与低功耗特性的器件,是发展下一代信息存储、存算一体等技术的优选路径之一。磁极化因状态稳定、切换迅速,成为理想的信息载体。反常霍尔效应源于材料本征磁化与自旋-轨道耦合,其反常霍尔电阻的幅值与符号直接反映材料的磁极化状态,可作为直接电学探测手段,为构筑器件提供了物理基础。因此,实现对反常霍尔效应的高效、低功耗电学调控,是发展高性能、多功能、以磁极化为信息载体器件的关键所在。

近期,我们发展了电压驱动氢离子演化和电流诱自旋轨道矩(SOT的双模电控磁耦合策略,在基于重金属/铁磁异质结构的离子型场效应管器件(Au/GdOx/Pd/Pd65Co35)中实现了对反常霍尔效应的高效调控(图1):通过电压控制氢离子嵌入/析出诱导磁性层在铁磁态和顺磁态之间的可逆转变(调控反常霍尔电阻幅值);同时,利用电流驱动的SOT实现无外磁场下的磁化翻转(调控反常霍尔电阻符号)。进一步地,通过电压调节氢化程度可调控SOT诱导的磁化翻转的极性、幅值和临界翻转电流密度。基于上述电压与电流协同调控机制,我们构建了一种可编程的自旋逻辑单元(图2),以栅压和电流脉冲作为输入信号,以反常霍尔电阻作为输出信号,在单个器件中实现了多种逻辑门功能(如NANDNOR等)。此外,器件在室温下氢化过程呈现半非易失特性,导致了磁性随时间演化,为构建物理储池计算提供原理基础(图3)。我们利用反常霍尔电阻随时间非线性弛豫的特性,仿真构建了物理储池神经网络,在语音识别(准确率98.4%)和混沌系统预测(方均根误差< 0.1)等时序任务中表现出优异性能。本工作为构筑集成存储、逻辑和神经形态计算功能于一体的器件提供了可能。

相关工作以“Programmable Logic and Reservoir Computing Based on Hydrogenation-Engineered Spin-Orbit Torque”为题发表在Advanced Functional Materials 36, e19753 (2026),博士生涂宇辰为该论文的第一作者。该项研究得到了国家自然科学基金、科技部国家重点研发计划等的资助。

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