研究人员
 
 


         李晓光

            中国科学技术大学教授、博士生导师

            电话　：+86-551-63603408

            地址：中国科学技术大学物质科研楼C311室

            E-mail: lixg@ustc.edu.cn

            http://www.hfnl.ustc.edu.cn/detail?id=11349

  


一、个人简历

1. 受教育和研究经历
       1982年6月获安徽大学理学学士学位，1985年7月及1989年1月分别获中国科学院固体物理研究所理学硕士和博士学位。曾先后在日本东京大学（日本学术振兴会研究员）、台湾省清华大学、香港理工大学、香港大学、日本东京工业大学从事科学研究工作。1993年被聘为中国科学技术大学教授。


2. 研究领域
      主要从事关联电子材料如氧化物单晶、外延薄膜和外延异质结构以及相关纳米结构的探索、磁电耦合效应、多重量子序竞争和调控以及相关器件原型构建研究。在高水平国际学术期刊发表文章450篇（其中包括Nature Materials，Nature Commn., Adv. Mater., Phys. Rev. Lett.，J. Am. Chem. Soc.，Angew. Chem. Int. Edit., Adv. Func. Mater., NPG Asia Mater., ACS Appl. Mater. Inter.等），论文被引用10000次。关于La1-xCaxMnO3（x<0.5）晶体结构的研究结果被美国的International Center for Diffraction Data收录，进入粉末衍射文件库。此外有专著《先进陶瓷物理与化学原理及技术》（科学出版社，2001，与他人合著），外文专著《Studies of High Temperature Superconductors》（NOVA Science Publishers, 2005）和《Handbook of Nanoceramics and Their Based Nanodevices》（American Scientific Publishers, 2009）两部中的两个章节，中文专著《内耗与力学谱基本原理及其应用》（上海交通大学出版社，2014）中的一个章节；获授权发明专利23项。在国内外学术会议上做邀请报告50次。


3. 学术任职
       担任《Journal of Materiomics》、《Materials Letters》、《Chinese Physics B》编委，以及《硅酸盐学报》、《功能材料》、《物理学报》《电子材料与元器件》编委。


4. 主持项目

1）主持国家自然科学基金优秀创新群体、国家自然科学基金重大项目、国家自然科学基金重点项目；

2）主持科技部973课题、国家重点研发计划课题；

3）主持中国科学院国际合作团队和知识创新工程项目等。


5. 获奖情况
      1）1993年获中国科学院自然科学一等奖（高温超导体微结构和超导电性基础研究，本人排名第二）。

      2）1996年获中国科学院自然科学三等奖（非晶态合金在金属玻璃转变温度附近的物性及微结构研究，本人排名第二）。

      3）2001年获安徽省自然科学一等奖（高温超导材料及其相关体系的微结构与电磁特性研究，获奖人：本人排名第一）。

      4）2011年获安徽省自然科学二等奖（热电材料及其相关纳米结构体系的合成及物性研究，获奖人：本人排名第一）。

      5）2018年获河南省科学技术进步三等奖（宽带隙半导体 SiC 的制备、微结构和磁性的实验与理论研究，获奖人：本人排名第四）。

     6）2008获安徽省教学成果一等奖（第一获奖人）。

      7）1993年获中国科学院青年科学家一等奖、1994年获国家杰出青年科学基金资助、1996年获国家教育部霍英东青年教师一等奖、2004年获中国科学院优秀研究生导师、2023年获中国电介质物理杰出贡献奖、2024年获安徽省高端人才引育行动计划杰出人才等。


二．主要学术贡献

1. 突破传统铁电电容式信息存储存储密度低和破坏式读取的瓶颈，发明了高密度铁电电阻式信息存储和铁电计算器件：优化了“金属/铁电/半导体”铁电隧道结，实现了亚纳秒超快、飞焦级低能耗、每单元32态高密度、非易失的铁电电阻式信息存储；发展了高效、具有类脑功能的铁电隧道结电子突触，仿真构建的人工神经网络具有高图像识别率和抗噪声干扰能力。被认为是“最先进的”、性能“远优于其它存储技术”、“可替代硬盘和闪存、利于大规模数据处理”；“为电子突触硬件开发开辟了重大机遇、为构建类脑计算系统奠定了重要基础”。

2. 提出了破解介电常数与击穿强度间倒置关系的新策略，大幅提升了器件电容量和击穿强度：提出了利用带电纳米片的局域电场抑制二次碰撞电子产生的思想，实现了电介质材料介电常数和击穿场强的同步提升，该策略被认为是“可推广的”，使性能“显著提升、超越以前记录”。

3. 发展了高质量强关联电子材料单晶、薄膜异质结和纳米阵列的生长方法，提出了磁存储材料微观尺度的“自旋团簇玻璃态”模型以及低能耗电控磁新方法，构筑了新型多阻态电控磁信息存储器，被认为是“更具吸引力、有助于设计电磁器件”。部分成果获省部级自然科学一等奖2项。

与华为和合肥长鑫存储公司开展了合作研究，与华为的合作项目获华为上海研究所优秀技术成果奖。与上海华湘计算机通讯工程有限公司合作，发明了极性和幅值可调的高电压超快脉冲发生装置。

曾获省部级科技奖励5项，发表SCI论文450余篇，被SCI他引1万余次；获授权专利23项；在国内外学术会议上作邀请报告50次；合著专著1部和3部专著中各一个章节。