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         殷月伟

            中国科学技术大学教授、博士生导师

            电话:+86-551-63606554

            地址:中国科学技术大学物质科研楼C309

            E-mailyyw@ustc.edu.cn

            http://www.hfnl.ustc.edu.cn/detail?id=11324

    


一、教育和科研经历


  2003-2007

学士(物理),中国科学技术大学

  2007-2012博士(物理),中国科学技术大学
  2009-2011联合培养博士生(物理),宾州州立大学
  2012-2013特任助理研究员,中国科学技术大学
  2013-2017特任副研究员,中国科学技术大学
  2013-2015博士后,宾州州立大学
  2015-2017博士后,内布拉斯加大学林肯分校
  2017-2020特任教授,中国科学技术大学

       2020-今

教授,中国科学技术大学


二、研究方向和学术贡献

      目前研究方向:铁电电子学磁电耦合与多铁性;钙钛矿关联电子材料

      主要学术贡献:以新型多功能、高密度、低能耗、超快速、智能化信息存储和处理为主要目标,通过对新材料、新结构、新器件的多功能设计思想的运用,系统研究了若干基于过渡金属氧化物,尤其是钙钛矿氧化物及其薄膜异质结构(如:肖特基结、场效应管、自旋阀、隧道结等)的电、磁输运特性和信息存储和处理功能,取得的成果包括:1) 基于磁电耦合效应,设计并构建了多铁隧道结非易失存储原型器件,2V低电压下阻变速度最快达6ns,并发现具有磁电耦合忆阻特性的电子突触新功能;实现电控磁多铁自旋阀的多阻态存储。2) 揭示出磁电耦合界面重构新原理,发现原子尺度界面离子重构诱导的磁电耦合及阻变效应;设计新型磁电界面层,使多铁隧道结电阻开关比提高2个量级。3) 基于能带工程设计铁电隧道结,实现超快600ps、多阻态32个、超低写入电流、耐高温、抗疲劳非易失存储;其模拟构建的神经网络在线图像识别率>90%。多项成果被Science DailyPhys.OrgWiley-Materials Views China、人民网、中国新闻网、《中国科学报》等国内外媒体报道,作为负责人承担基金委杰出青年基金、科技部重点研发计划青年项目等


三、主要科研项目


2018-2022

(骨干)国家自然科学基金委重大项目课题

《磁电耦合异质结与信息存储原型器件(51790491)

2019-2024

(负责)科技部国家重点研发计划青年项目

《低维磁电耦合材料中铁电畴及拓扑结构的多场调控与原型器件(2019YFA0307900)

2020-2023

 (负责)国家自然科学基金面上项目

《铁电隧道结的超快存储及人工突触器件研究(51972296)

2022-2026

(负责)国家自然科学基金委杰出青年科学基金项目

铁电与多铁异质结及原型器件(52125204)

四、代表性论文

     发表第一/通讯作者论文48包括Nature Mater.Nature Commun.Adv. Mater.Appl. Phys. Rev.NPG Asia Mater.ACS Appl. Mater. InterfacesAdv. Electron. Mater.、Acta Mater.、npj Quant. Mater.、Appl. Phys. Lett.Phys. Rev. Appl./B

    1)   C. Ma, Z. Luo, W. C. Huang, L. T. Zhao, Q. L. Chen, Y. Lin, X. Liu, Z. W. Chen, C. C. Liu, H. Y. Sun, X. Jin, Y. W. Yin*, X. G. Li*, Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction, Nature Commun. 11:1439, (2020)

    2)

Z. W. Bao, C. M. Hou, Z. H. Shen, H. Y. Sun, G. G. Zhang, Z. Luo, Z. Z. Dai, C. M. Wang, X. W. Chen, L. B. Li, Y. W. Yin*, Y. Shen*, X. G. Li*, Negatively Charged Nanosheets Significantly Enhance the Energy-Storage Capability of Polymer-based Nanocomposites, Adv. Mater. 1907227 (2020)

    3)

H. Y. Sun, Z. Luo, L. T. Zhao, C. C. Liu, C. Ma, Y. Lin, G. Y. Gao, Z. W. Chen, Z. W. Bao, X. Jin, Y. W. Yin*, X. G. Li*, BiFeO3-Based Flexible Ferroelectric Memristors for Neuromorphic Pattern Recognition, ACS Appl. Electron. Mater., 2, 1081−1089 (2020).

    4)

Zhiwei Chen, Weichuan Huang, Wenbo Zhao, Chuangming Hou, Chao Ma, Chuanchuan Liu, Haoyang Sun, Yuewei Yin*, Xiaoguang Li*, Ultrafast Multilevel Switching in Au/YIG/n-Si RRAM. Adv. Electron. Mater. 5, 1800418 (2019). (Issue inside cover)

    5)

Weichuan Huang, Yuewei Yin*, Xiaoguang Li*, Atomic-scale mapping of interface reconstructions in multiferroic heterostructures. Appl. Phys. Rev. 5, 041110 (2018). (Featured article)

    6)

W. Huang, Y. W. Fang, Y. W. Yin*, B. Tian, W. Zhao, C. Hou, C. Ma, Q. Li, E. Y. Tsymbal, C. G. Duan*, X. G. Li*,   Solid-State Synapse Based on Magnetoelectrically Coupled Memristor. ACS Appl. Mater. Interfaces 10, 5649-5656 (2018).

    7)

Weichuan Huang, Wenbo Zhao, Zhen Luo, Yuewei Yin*, Yue Lin, Chuangming Hou, Bobo Tian, Chun-Gang Duan, Xiao-Guang Li*, A High-speed and Low-power Multistate Memory Based on Multiferroic Tunnel Junction. Adv. Electron. Mater. 1700560 (2018)

    8)

C. M. Hou, W. C. Huang, W. B. Zhao, D. L. Zhang, Y. W. Yin*, X. G. Li*, Ultrahigh Energy Density in SrTiO3 Film Capacitors. ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 20484-20490 (2017).

    9)

W. C. Huang, Y. Lin, Y. W. Yin*, L. Feng, D. L. Zhang, W. B. Zhao, Q. Li, X. G. Li*, Interfacial Ion Intermixing Effect on Four-Resistance States in La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3 Multiferroic Tunnel Junctions. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 10422-10429 (2016).

    10)

Y. W. Yin, J. D. Burton, Y. M. Kim, A. Y. Borisevich, S. J. Pennycook, S. M. Yang, T. W. Noh, A. Gruverman, X. G. Li, E. Y. Tsymbal* and Q. Li*, Enhanced tunnelling electroresistance effect due to a ferroelectrically induced phase transition at a magnetic complex oxide interface. Nature Mater. 12, 397-402 (2013).