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 殷月伟
中国科学技术大学教授、博士生导师 电话：+86-551-63606554
地址：中国科学技术大学物质科研楼C309室 E-mail: yyw@ustc.edu.cn http://www.hfnl.ustc.edu.cn/detail?id=11324
一、教育和科研经历
2003-2007 | 学士(物理)，中国科学技术大学 | | 2007-2012 | 博士(物理)，中国科学技术大学 | | 2009-2011 | 联合培养博士生(物理)，宾州州立大学 | | 2012-2013 | 特任助理研究员，中国科学技术大学 | | 2013-2017 | 特任副研究员，中国科学技术大学 | | 2013-2015 | 博士后，宾州州立大学 | | 2015-2017 | 博士后，内布拉斯加大学林肯分校 | | 2017-2020 | 特任教授，中国科学技术大学 | 2020-今 | 教授，中国科学技术大学 |
二、研究方向和学术贡献 目前研究方向：铁电电子学；磁电耦合与多铁性；钙钛矿关联电子材料。 主要学术贡献：以新型多功能、高密度、低能耗、超快速、智能化信息存储和处理为主要目标，通过对新材料、新结构、新器件的多功能设计思想的运用，系统研究了若干基于过渡金属氧化物，尤其是钙钛矿氧化物及其薄膜异质结构(如：肖特基结、场效应管、自旋阀、隧道结等)的电、磁输运特性和信息存储和处理功能，取得的成果包括：1) 基于磁电耦合效应，设计并构建了多铁隧道结非易失存储原型器件，2V低电压下阻变速度最快达6ns，并发现具有磁电耦合忆阻特性的电子突触新功能；实现电控磁多铁自旋阀的多阻态存储。2) 揭示出磁电耦合界面重构新原理，发现原子尺度界面离子重构诱导的磁电耦合及阻变效应；设计新型磁电界面层，使多铁隧道结电阻开关比提高2个量级。3) 基于能带工程设计铁电隧道结，实现超快600ps、多阻态32个、超低写入电流、耐高温、抗疲劳非易失存储；其模拟构建的神经网络在线图像识别率>90%。多项成果被Science Daily、Phys.Org、Wiley-Materials Views China、人民网、中国新闻网、《中国科学报》等国内外媒体报道，作为负责人承担基金委杰出青年基金、科技部重点研发计划青年项目等。
三、主要科研项目
| 2018-2022 | (骨干)国家自然科学基金委重大项目课题 《磁电耦合异质结与信息存储原型器件(51790491)》 | 2019-2024
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(负责)科技部国家重点研发计划青年项目 《低维磁电耦合材料中铁电畴及拓扑结构的多场调控与原型器件(2019YFA0307900)》 | 2020-2023 | (负责)国家自然科学基金面上项目 《铁电隧道结的超快存储及人工突触器件研究(51972296)》 | 2022-2026 | (负责)国家自然科学基金委杰出青年科学基金项目 《铁电与多铁异质结及原型器件(52125204)》 |
四、代表性论文
共发表第一/通讯作者论文48篇，包括Nature Mater.、Nature Commun.、Adv. Mater.、Appl. Phys. Rev.、NPG Asia Mater.、ACS Appl. Mater. Interfaces、Adv. Electron. Mater.、Acta Mater.、npj Quant. Mater.、Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. Appl./B等。 | 1) | C. Ma, Z. Luo, W. C. Huang, L. T. Zhao, Q. L. Chen, Y. Lin, X. Liu, Z. W. Chen, C. C. Liu, H. Y. Sun, X. Jin, Y. W. Yin*, X. G. Li*, Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction, Nature Commun. 11:1439, (2020) | 2) | Z. W. Bao, C. M. Hou, Z. H. Shen, H. Y. Sun, G. G. Zhang, Z. Luo, Z. Z. Dai, C. M. Wang, X. W. Chen, L. B. Li, Y. W. Yin*, Y. Shen*, X. G. Li*, Negatively Charged Nanosheets Significantly Enhance the Energy-Storage Capability of Polymer-based Nanocomposites, Adv. Mater. 1907227 (2020) | 3) | H. Y. Sun, Z. Luo, L. T. Zhao, C. C. Liu, C. Ma, Y. Lin, G. Y. Gao, Z. W. Chen, Z. W. Bao, X. Jin, Y. W. Yin*, X. G. Li*, BiFeO3-Based Flexible Ferroelectric Memristors for Neuromorphic Pattern Recognition, ACS Appl. Electron. Mater., 2, 1081−1089 (2020). | 4) | Zhiwei Chen, Weichuan Huang, Wenbo Zhao, Chuangming Hou, Chao Ma, Chuanchuan Liu, Haoyang Sun, Yuewei Yin*, Xiaoguang Li*, Ultrafast Multilevel Switching in Au/YIG/n-Si RRAM. Adv. Electron. Mater. 5, 1800418 (2019). (Issue inside cover) | 5) | Weichuan Huang, Yuewei Yin*, Xiaoguang Li*, Atomic-scale mapping of interface reconstructions in multiferroic heterostructures. Appl. Phys. Rev. 5, 041110 (2018). (Featured article) | 6) | W. Huang, Y. W. Fang, Y. W. Yin*, B. Tian, W. Zhao, C. Hou, C. Ma, Q. Li, E. Y. Tsymbal, C. G. Duan*, X. G. Li*, Solid-State Synapse Based on Magnetoelectrically Coupled Memristor. ACS Appl. Mater. Interfaces 10, 5649-5656 (2018). | 7) | Weichuan Huang, Wenbo Zhao, Zhen Luo, Yuewei Yin*, Yue Lin, Chuangming Hou, Bobo Tian, Chun-Gang Duan, Xiao-Guang Li*, A High-speed and Low-power Multistate Memory Based on Multiferroic Tunnel Junction. Adv. Electron. Mater. 1700560 (2018) | 8) | C. M. Hou, W. C. Huang, W. B. Zhao, D. L. Zhang, Y. W. Yin*, X. G. Li*, Ultrahigh Energy Density in SrTiO3 Film Capacitors. ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 20484-20490 (2017). | 9) | W. C. Huang, Y. Lin, Y. W. Yin*, L. Feng, D. L. Zhang, W. B. Zhao, Q. Li, X. G. Li*, Interfacial Ion Intermixing Effect on Four-Resistance States in La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3 Multiferroic Tunnel Junctions. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 10422-10429 (2016). | 10) | Y. W. Yin, J. D. Burton, Y. M. Kim, A. Y. Borisevich, S. J. Pennycook, S. M. Yang, T. W. Noh, A. Gruverman, X. G. Li, E. Y. Tsymbal* and Q. Li*, Enhanced tunnelling electroresistance effect due to a ferroelectrically induced phase transition at a magnetic complex oxide interface. Nature Mater. 12, 397-402 (2013). |
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