研究人员
 
 


          甘汇

            中国科学技术大学博士后研究员

            E-mail: huigan@ustc.edu.cn



一、教育和科研经历       



2014-2018

学士，安徽大学

2018-2024博士，中国科学技术大学
2024-2025器件研发工程师，长鑫科技集团股份有限公司
2026-今博士后，中国科学技术大学


二、研究方向和学术贡献        


        目前研究方向：铁性信息材料和器件、多场耦合与功能材料；第一性原理计算。

        主要学术贡献：1、研究发现在以SrRuO3为对称电极的铁电隧道结中，TiO2面终结的条件下更有利于出现极化双稳定；而在含有金属和氧化物电极的非对称电极的铁电隧道结中，Pt电极相比Au电极更易诱导尺寸效应的消失；较大的压应变诱导单层单胞产生铁电性，进而消除尺寸效应的影响。

2、氧空位的出现会导致SrRuO3/BaTiO3/SrRuO3铁电隧道结形成尾对尾畴壁，而不同类型（Vc型和Vab型）和不同位置（势垒内部和界面）的氧空位产生的影响有差异，出现在界面或势垒内部的Vc型氧空位都会诱导形成这种尾对尾畴壁，而Vab型氧空位只有在势垒内部时才会诱导出畴壁；氧空位位于界面时的隧穿电致电阻效应比其位于势垒内部时的大，并且由Vab型氧空位得到的隧穿电致电阻效应也略大于Vc型氧空位。

3、在长鑫科技集团工作期间，进行DRAM的array（阵列）晶体管部分的器件研发，通过进行线上和线下晶圆实验的数据对比，实现阵列漏电路径的优化。

4、LaO中La的d轨道和O的p轨道杂化较强，La和O分别贡献声子的低频部分和高频部分，并且由于LaO电子部分的贡献相较于声子部分的贡献更为显著，因而LaO的电声耦合强度以及超导转变温度都高于其他单硫系镧化物。



三、主要科研项目          


         参与国家自然科学基金委员会联合基金项目：高性能介电、铁电信息存储材料和神经形态忆阻器。




四、代表性论文  (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-7307-2473） 


         (#共同一作，*通讯作者)                   

  

  1. Gan Hui, Shen Shengchun*, Li Yaoxin, Yin Yuewei, Li Xiaoguang*. Performance manipulation of ferroelectric

    tunnel junctions via oxygen vacancies in barrier [J]. Acta Materialia, 255, 119101 (2023).

  2. Gan Hui, Zhang Chao, Du Xinzhe, Jiang Peng, Niu Caoping, Zheng Xiaohong, Yin Yuewei*, Li Xiaoguang*. I 

    nsights into superconductivity of LaO from experiments and first-principles calculations [J]. Physical Review B,

    104(5), 054515 (2021).

  3. Li Yaoxin, Gan Hui, Xu Bo, Zhang Haiyi, Shen Shengchun*, Yin Yuewei, Li Xiaoguang*. First-principles stud

    y on ferroelectricity in monolayer BaTiO3[J]. Physical Review B,  111(21), 214114 (2025).

  4. Luo Zhen, Du Xinzhe, Gan Hui, Lin Yue, Yan Wensheng, Shen Shengchun, Yin Yuewei*, Li Xiaoguang*. 5.1 Å

    EOT and low leakage TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3/TiN heterostructure for DRAM capacitor [J]. Applied Ph

    ysics Letters, 122, 192903 (2023).

  5. Wang Yuchen#, Liu Si#, Luo Zhen, Gan Hui, Wang He, Li Jiachen, Du Xinzhe, Zhao Haoyu, Shen Shengchun

    *, Yin Yuewei, Li Xiaoguang. Ultralow Subthreshold Swing of a MOSFET Caused by Ferroelectric Polarization

    Reversal of Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films [J]. ACS Applied Materials & Interfaces, 15(36), 42764-42773 (2023).

  6. Du Xinzhe, Luo Zhen, Shen Shengchun*, Bai Weiping, Gan Hui, Yin Yuewei, Li Xiaoguang*. High-κ Hf0.3Zr

    0.7O2 film with morphotropic phase boundary for DRAM capacitor by controlling H2O dose [J]. Applied Surfa

    ce Science, 638, 158078 (2023).

  7. Fan Yunjie#, Gan Hui#, Wang Dong, Sun Haoyang, Ma Chao, Huang Fuqiang, Zhou Jun, Yin Yuewei*, Li Xiao

    guang*. Mg-doping enhanced superconductivity and ferromagnetism in Ti1-xMgxO films [J]. Acta Materialia, 2

    00, 66-73 (2020).